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IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; 3.8ns; TFBGA165, Operating temperature: -40...85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Memory: 36Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 2Mx18bit, Kind of package: in-tray; tube, Case: TFBGA165, Operating voltage: 1.8V, Kind of memory: SRAM, Mounting: SMD, Access time: 3.8ns.
Weitere Produktangebote IS61VVPS204818B-166B3LI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61VVPS204818B-166B3LI | ISSI |
 SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,166MHz,1.8V I/O,165 Ball BGA,RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 144 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61VVPS204818B-166B3LI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; 3.8ns; TFBGA165 Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Memory: 36Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 2Mx18bit Kind of package: in-tray; tube Case: TFBGA165 Operating voltage: 1.8V Kind of memory: SRAM Mounting: SMD Access time: 3.8ns |
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Mindestbestellmenge: 144 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61VVPS204818B-166B3LI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,166MHz,1.8V I/O,165 Ball BGA,RoHS
SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,166MHz,1.8V I/O,165 Ball BGA,RoHS
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| IS61VVPS204818B-166B3LI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; 3.8ns; TFBGA165
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 36Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA165
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.8ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 2Mx18bit; 1.8V; 3.8ns; TFBGA165
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Memory: 36Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 2Mx18bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: TFBGA165
Operating voltage: 1.8V
Kind of memory: SRAM
Mounting: SMD
Access time: 3.8ns
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