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IS61WV102416ALL-20MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61WV102416ALL-20MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 1.65...2.2V, Access time: 20ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Weitere Produktangebote IS61WV102416ALL-20MLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
 SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 1.65...2.2V Access time: 20ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
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Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA |
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Mindestbestellmenge: 210 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV102416ALL-20MLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
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| IS61WV102416ALL-20MLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 1.65...2.2V
Access time: 20ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 1.65...2.2V
Access time: 20ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
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| IS61WV102416ALL-20MLI |
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA
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