IS61WV102416DBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 22.99 EUR |
| 10+ | 21.33 EUR |
| 25+ | 20.66 EUR |
| 40+ | 20.32 EUR |
| 80+ | 19.82 EUR |
| 230+ | 19.07 EUR |
| 480+ | 18.56 EUR |
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Technische Details IS61WV102416DBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 16Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Weitere Produktangebote IS61WV102416DBLL-10BLI nach Preis ab 17.20 EUR bis 24.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IS61WV102416DBLL-10BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV102416DBLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 16Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS61WV102416DBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM 16Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns |
auf Bestellung 1856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IS61WV102416DBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IS61WV102416DBLL-10BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
Produkt ist nicht verfügbar |