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IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR ISSI


61-64wv102416edbll.pdf Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
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Technische Details IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.

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IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61-64WV102416EDBLL.pdf Description: IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA
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IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR Hersteller : ISSI 61-64WV102416EDBLL-1108808.pdf SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
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IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A5941F24E160D5&compId=IS61WV102416EDBLL-10B2LI.pdf?ci_sign=b17f4eb6a7f1609d1d316b9a94a92d239c2bec04 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
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