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IS61WV25616BLL-10BLI

IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

61-64WV25616.pdf Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1069 Stücke:
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3+6.58 EUR
10+6.12 EUR
25+5.94 EUR
40+5.85 EUR
80+5.71 EUR
230+5.50 EUR
480+5.36 EUR
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Technische Details IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI Hersteller : ISSI 61_64WV25616-475188.pdf SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
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IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 2622036.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616BLL-10BLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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IS61WV25616BLL-10BLI Hersteller : ISSI 61-64wv25616.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
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IS61WV25616BLL-10BLI Hersteller : Integrated Silicon Solution Inc. 61-64WV25616.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA IS61WV25616BLL-10BLI PSIS61WV25616BLL-10BLI
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IS61WV25616BLL-10BLI Hersteller : ISSI 38354200965546061-64wv25616.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
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Produktcode: 135552
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