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IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR

IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

61-64WV25616EDBLL.pdf
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
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Technische Details IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI 61_64WV25616EDBLL-258483.pdf SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI IS61WV25616EDBLL-10BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
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IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI 61-64wv25616edbll.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
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