IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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Technische Details IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 8ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 8 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI |
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TFBGA48 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx16bit Kind of package: reel; tape Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 8ns Memory: 4Mb SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR | ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 8ns
Memory: 4Mb SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 8ns
Memory: 4Mb SRAM
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| IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA T/R
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA T/R
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