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Technische Details IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 8ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 8 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote IS61WV25616EDBLL-8BLI nach Preis ab 8.48 EUR bis 10.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Memory Interface: Parallel Access Time: 8 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA |
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IS61WV25616EDBLL-8BLI | Hersteller : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA |
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