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Technische Details IS61WV25632BLL-10BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 256kx32bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Access time: 10ns, Case: TFBGA90, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Weitere Produktangebote IS61WV25632BLL-10BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS61WV25632BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV25632BLL-10BLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 256kx32bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA90 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS61WV25632BLL-10BLI |
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA
Description: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IS61WV25632BLL-10BLI |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 256kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 256kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
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