Produkte > ISSI > IS61WV3216DBLL-10TLI

IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI


IS6%281%2C4%29WV3216DxLL_DxLS.pdf
Hersteller: ISSI
SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.29 EUR
10+8.69 EUR
100+8.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI

Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 32K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Weitere Produktangebote IS61WV3216DBLL-10TLI

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS61WV3216DBLL-10TLI IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS6%281%2C4%29WV3216DxLL_DxLS.pdf Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLI IS61WV3216DBLL-10TLI ISSI 61-64WV3216DBxx.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLI IS6%281%2C4%29WV3216DxLL_DxLS.pdf
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLI 61-64WV3216DBxx.pdf
Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH