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IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Access time: 10ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.
Weitere Produktangebote IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | Hersteller : ISSI |
 SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM |
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| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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