IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI
Hersteller: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Access time: 10ns
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Technische Details IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Case: TSOP44 II, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Access time: 10ns, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
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Verfügbarkeit |
Preis |
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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.4...3.6V Case: TSOP44 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Access time: 10ns |
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