IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI
Hersteller: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Access time: 10ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Operating voltage: 2.4...3.6V, Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke.
Weitere Produktangebote IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | Hersteller : ISSI |
SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
Produkt ist nicht verfügbar |