IS61WV5128BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS61WV5128BLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 4Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Access time: 10ns, Case: TFBGA36, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI |
 SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS |
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| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R |
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| IS61WV5128BLL-10BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
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| IS61WV5128BLL-10BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
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| IS61WV5128BLL-10BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R
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