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IS62WV102416EBLL-45BLI-TR ISSI

62_65WV102416EALL_BLL.pdf
Hersteller: ISSI
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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Technische Details IS62WV102416EBLL-45BLI-TR ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 2.2...3.6V, Access time: 45ns, Case: VFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS62WV102416EBLL-45BLI-TR IS62WV102416EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 62-65WV102416EALL-BLL.pdf Description: IC SRAM 16MB LP 45NS 48MBGA
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IS62WV102416EBLL-45BLI-TR ISSI IS62WV102416EALL-55BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48
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Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 45ns 48-Pin VFBGA T/R
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