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IS62WV25616EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS62WV25616EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: VFBGA48, Operating temperature: -40...85°C, Mounting: SMD, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx16bit, Kind of package: reel; tape, Operating voltage: 2.2...3.6V, Kind of memory: SRAM, Access time: 45ns, Memory: 4Mb SRAM.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IS62WV25616EBLL-45BLI-TR | ISSI |
 SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS62WV25616EBLL-45BLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: VFBGA48 Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx16bit Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.2...3.6V Kind of memory: SRAM Access time: 45ns Memory: 4Mb SRAM |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS62WV25616EBLL-45BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v~3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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| IS62WV25616EBLL-45BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Memory: 4Mb SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: VFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.2...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 45ns
Memory: 4Mb SRAM
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
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