IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI
Hersteller: ISSISRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5 EUR |
| 10+ | 4.68 EUR |
| 25+ | 4.36 EUR |
| 100+ | 4.21 EUR |
| 250+ | 4.08 EUR |
| 480+ | 3.98 EUR |
| 5280+ | 3.85 EUR |
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Technische Details IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV25616EBLL-45BLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: -, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Weitere Produktangebote IS62WV25616EBLL-45BLI nach Preis ab 4.31 EUR bis 5.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IS62WV25616EBLL-45BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
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IS62WV25616EBLL-45BLI | Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV25616EBLL-45BLI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.2 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: - Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IS62WV25616EBLL-45BLI | Hersteller : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Case: VFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Access time: 45ns |
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