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IS62WV51216EBLL-45TLI

IS62WV51216EBLL-45TLI ISSI

62_65WV51216EALL_BLL-462614.pdf Hersteller: ISSI
SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns
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Technische Details IS62WV51216EBLL-45TLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.2V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: -, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS62WV51216EBLL-45TLI IS62WV51216EBLL-45TLI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 2622045.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS62WV51216EBLL-45TLI - SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
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IS62WV51216EBLL-45TLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 62-65WV51216EALL-BLL.pdf Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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10+7.78 EUR
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IS62WV51216EBLL-45TLI IS62WV51216EBLL-45TLI Hersteller : ISSI 50226920928467562-65wv51216eall-bll.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
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