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IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx36bit, Kind of package: reel; tape, Case: TQFP100, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: SRAM memory.
Weitere Produktangebote IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR | ISSI |
 SRAM 9Mb,Flowthrough,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx36bit Kind of package: reel; tape Case: TQFP100 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: SRAM memory |
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 9Mb,Flowthrough,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
SRAM 9Mb,Flowthrough,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
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Im Einkaufswagen
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| IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: reel; tape
Case: TQFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
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