IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI |
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TSOP44 II Operating temperature: -40...125°C Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx16bit Kind of package: reel; tape Operating voltage: 2.4...3.6V Kind of memory: SRAM Access time: 10ns Memory: 4Mb SRAM |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR | ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
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| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Operating temperature: -40...125°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
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| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
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| IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns Automotive 44-Pin TSOP-II T/R
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