Produkte > ISSI > IS64WV25616EDBLL-10CTLA3
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI

64WV25616EDBLL.pdf
Hersteller: ISSI
SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+29.16 EUR
10+27.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Memory Type: Volatile.

Weitere Produktangebote IS64WV25616EDBLL-10CTLA3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 ISSI 61-64WV25616EDBLL.pdf Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256K x 16, Тдост/Частота = 10, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 44-TSOP Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3 61-64WV25616EDBLL.pdf
Hersteller: ISSI
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256K x 16, Тдост/Частота = 10, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 44-TSOP Очікується: 3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH