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IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Technische Details IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 2.5...3.6V, Access time: 55ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | ISSI |
 SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 2.5...3.6V Access time: 55ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
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IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | ISSI |
PSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R |
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| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v~3.6v,48 Ball BGA, RoHS
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| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: PSRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 2.5...3.6V
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
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| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR |
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Hersteller: ISSI
PSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R
PSRAM Async 16M-bit 1M x 16 55ns 48-Pin TFBGA T/R
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