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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

66-67WVC2M16EALL.pdf Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 480 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 2M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Weitere Produktangebote IS66WVC2M16ECLL-7010BLI nach Preis ab 5.72 EUR bis 8.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Hersteller : ISSI 66-67WVC2M16EALL.pdf SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Hersteller : ISSI 66-67wvc2m16eall.pdf PSRAM Async Single Port 32M-bit 2M x 16 70ns 54-Pin VFBGA
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Hersteller : ISSI 52279599359163366-67wvc2m16eall.pdf 32Mb Async/Page/Burst Cellular RAM 1.5
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IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A59BE1519A60D5&compId=IS66WVC2M16EALL-7010BLI.pdf?ci_sign=2e6cb173199e0ce72e3b5d97f9efc16c14afd9a4 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 1.7÷1.95/2.7÷3.6V; 70ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Operating voltage: 1.7...1.95/2.7...3.6V
Case: VFBGA54
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 70ns
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