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IS66WVH16M8DBLL-166B1LI

IS66WVH16M8DBLL-166B1LI ISSI

66-67WVH16M8DALL-BLL.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
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Technische Details IS66WVH16M8DBLL-166B1LI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH16M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 128Mbit, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: 166MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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IS66WVH16M8DBLL-166B1LI IS66WVH16M8DBLL-166B1LI Hersteller : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 4555740.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVH16M8DBLL-166B1LI - SRAM, Pseudo-SRAM, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, TFBGA, 24 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IS66WVH16M8DBLL-166B1LI IS66WVH16M8DBLL-166B1LI Hersteller : ISSI 66-67wvh16m8dall-bll.pdf PSRAM Sync Single Port 128M-bit 16M x 8 24-Pin TFBGA
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