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ISA220280C03LMDSXTMA1

ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
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500+0.51 EUR
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Technische Details ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote ISA220280C03LMDSXTMA1 nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 INFINEON 4421048.pdf Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
190+1.23 EUR
230+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 INFINEON 4421048.pdf Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
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Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
190+1.23 EUR
230+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA220280C03LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 30V
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.44 EUR
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ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369 Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 500 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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ISA220280C03LMDSXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
190+1.23 EUR
230+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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ISA220280C03LMDSXTMA1 4421048.pdf
ISA220280C03LMDSXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
190+1.23 EUR
230+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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10+1.46 EUR
100+0.95 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369
ISA220280C03LMDSXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH