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ISC009N06NM6SCATMA1

ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC009N06NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e39af7f07
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V
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Technische Details ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC009N06NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 344 A, 900 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 344A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 221W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Weitere Produktangebote ISC009N06NM6SCATMA1 nach Preis ab 4.93 EUR bis 13.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC009N06NM6SCATMA1 ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies infineon_isc009n06nm6sc_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.95 EUR
10+7.35 EUR
100+5.74 EUR
500+5.28 EUR
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ISC009N06NM6SCATMA1 ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e39af7f07 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 30 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.98 EUR
10+8.02 EUR
50+6.33 EUR
100+5.8 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISC009N06NM6SCATMA1 INFINEON infineon-isc009n06nm6sc-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ISC009N06NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 344 A, 900 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 344A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.47 EUR
28+8.4 EUR
100+6.05 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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ISC009N06NM6SCATMA1
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MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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AnzahlPrivatkunde
1+10.95 EUR
10+7.35 EUR
100+5.74 EUR
500+5.28 EUR
1000+4.93 EUR
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ISC009N06NM6SCATMA1 Infineon-ISC009N06NM6SC-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196a72e39af7f07
ISC009N06NM6SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 344A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
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Description: INFINEON - ISC009N06NM6SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 344 A, 900 µohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 221W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
auf Bestellung 4000 Stücke:
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19+13.47 EUR
28+8.4 EUR
100+6.05 EUR
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