ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.49 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 2.48 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| 2500+ | 1.89 EUR |
| 5000+ | 1.78 EUR |
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Technische Details ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 259A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm.
Weitere Produktangebote ISC015N06NM5ATMA1 nach Preis ab 2.01 EUR bis 6.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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ISC015N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: ISC015N06NM5ATMA1 |
auf Bestellung 4959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISC015N06NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 259A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISC015N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: ISC015N06NM5ATMA1
Description: ISC015N06NM5ATMA1
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.59 EUR |
| 10+ | 3.62 EUR |
| 50+ | 2.76 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| ISC015N06NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
Description: INFINEON - ISC015N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 259 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 6.75 EUR |
| 75+ | 3.13 EUR |
| 100+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.08 EUR |
| 1000+ | 2.03 EUR |