Technische Details ISC017N04NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 193A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 115W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.
Weitere Produktangebote ISC017N04NM5ATMA1 nach Preis ab 0.76 EUR bis 4.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 5255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ISC017N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
ISC017N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 115W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC017N04NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 158+ | 1.09 EUR |
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 157+ | 1.11 EUR |
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 5255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.12 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 2500+ | 0.87 EUR |
| 5000+ | 0.76 EUR |
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
auf Bestellung 4637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.17 EUR |
| 11+ | 2.01 EUR |
| 50+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 1.34 EUR |
| 500+ | 1.06 EUR |
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.25 EUR |
| ISC017N04NM5ATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.75 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |