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ISC018N08NM6ATMA1

ISC018N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
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Technische Details ISC018N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET > 60-80V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC018N08NM6ATMA1 ISC018N08NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc018n08nm6-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c3f9382112e16 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
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ISC018N08NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
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