ISC031N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V

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Technische Details ISC031N08NM6ATMA1 Infineon Technologies

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	ISC031N08NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 145A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 65µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V	auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 5+ 4.29 EUR 10+ 2.78 EUR 100+ 1.92 EUR 500+ 1.59 EUR Mindestbestellmenge: 5 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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	ISC031N08NM6ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH