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ISC037N03L5ISATMA1

ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Technische Details ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 INFINEON 3154700.pdf Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
259+0.89 EUR
368+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 INFINEON 3154700.pdf Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
208+1.2 EUR
259+0.89 EUR
368+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
17+1.25 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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ISC037N03L5ISATMA1 ISC037N03L5ISATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC037N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 8289 Stücke:
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10+1.12 EUR
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500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
25000+0.42 EUR
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ISC037N03L5ISATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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259+0.89 EUR
368+0.58 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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ISC037N03L5ISATMA1 3154700.pdf
ISC037N03L5ISATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC037N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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259+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 208 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
ISC037N03L5ISATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 18934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+1.43 EUR
17+1.25 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon_ISC037N03L5IS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISC037N03L5ISATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 8289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISC037N03L5ISATMA1 Infineon-ISC037N03L5IS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8b91008098b
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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