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ISC060N06NM6ATMA1 транзистр

Produktcode: 221986
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_isc060n06nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
auf Bestellung 8010 Stücke:
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10+1.25 EUR
100+1.11 EUR
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ISC060N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.74 EUR
50+1.3 EUR
100+1.15 EUR
500+0.89 EUR
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ISC060N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-isc060n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - ISC060N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 4726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
163+1.43 EUR
183+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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ISC060N06NM6ATMA1 infineon_isc060n06nm6_datasheet_en.pdf
ISC060N06NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
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ISC060N06NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISC060N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 62 A, 0.006 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
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