ISC240P06LMATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details ISC240P06LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote ISC240P06LMATMA1 nach Preis ab 1.43 EUR bis 4.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC240P06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.024 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 59A 8-Pin TDSON EP T/R |
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ISC240P06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 59A TDSON-8 FL Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.34A Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
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