Produkte > RENESAS / INTERSIL > ISL89164FBEAZ
ISL89164FBEAZ

ISL89164FBEAZ Renesas / Intersil


REN_isl89163_64_65_DST_20190401-1998558.pdf Hersteller: Renesas / Intersil
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
auf Bestellung 567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.76 EUR
10+6.6 EUR
100+5.72 EUR
250+5.42 EUR
500+4.86 EUR
980+3.87 EUR
5880+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISL89164FBEAZ Renesas / Intersil

Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Kind of package: tube, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Kind of output: non-inverting, Mounting: SMD, Case: SO8-EP, Protection: undervoltage UVP, Operating temperature: -40...125°C, Output current: -6...6A, Impulse rise time: 40ns, Pulse fall time: 40ns, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...16V DC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote ISL89164FBEAZ nach Preis ab 4.9 EUR bis 8.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ISL89164FBEAZ ISL89164FBEAZ Hersteller : Renesas Electronics America Inc isl89163-isl89164-isl89165-datasheet Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
auf Bestellung 2635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.24 EUR
10+7.4 EUR
25+7 EUR
100+6.07 EUR
250+5.76 EUR
500+5.17 EUR
1000+4.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL89164FBEAZ Hersteller : RENESAS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA97D75F148D83E0C4&compId=ISL89163_4_5.pdf?ci_sign=6bc465f400ab3cd6f4eb5dfde68e8be990118c3a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...6A
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISL89164FBEAZ Hersteller : RENESAS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA97D75F148D83E0C4&compId=ISL89163_4_5.pdf?ci_sign=6bc465f400ab3cd6f4eb5dfde68e8be990118c3a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Kind of package: tube
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SO8-EP
Protection: undervoltage UVP
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -6...6A
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH