ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.24 EUR |
| 10+ | 7.4 EUR |
| 25+ | 7 EUR |
| 100+ | 6.07 EUR |
| 250+ | 5.76 EUR |
| 500+ | 5.17 EUR |
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Technische Details ISL89165FBEBZ Renesas Electronics America Inc
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Case: SO8-EP, Output current: -6...6A, Number of channels: 2, Supply voltage: 4.5...16V DC, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Impulse rise time: 40ns, Pulse fall time: 40ns, Kind of package: tube, Kind of output: non-inverting, Protection: undervoltage UVP.
Weitere Produktangebote ISL89165FBEBZ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| ISL89165FBEBZ | Intersil |
 SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SOAnzahl je Verpackung: 98 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
ISL89165FBEBZ | Renesas / Intersil |
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ISL89165FBEBZ | RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8-EP Output current: -6...6A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...16V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 40ns Pulse fall time: 40ns Kind of package: tube Kind of output: non-inverting Protection: undervoltage UVP |
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| ISL89165FBEBZ |
|
Hersteller: Intersil
SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SO
Anzahl je Verpackung: 98 Stücke
SOIC 8/A°/High Speed, Dual Channel, 6A, Power MOSFET Driver with Enable Inp ISL89165SO
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| ISL89165FBEBZ |
|
Hersteller: Renesas / Intersil
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
Gate Drivers 6A PEAK HI SPD PWR MSFT DRVR 8LD EP
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| ISL89165FBEBZ |
|
Hersteller: RENESAS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -6...6A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8-EP; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8-EP
Output current: -6...6A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...16V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Impulse rise time: 40ns
Pulse fall time: 40ns
Kind of package: tube
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
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