ISL9R18120S3ST onsemi / Fairchild
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|---|---|
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Technische Details ISL9R18120S3ST onsemi / Fairchild
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 18A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 18 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote ISL9R18120S3ST
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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ISL9R18120S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching 1.2KV 18A 70ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| ISL9R18120S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 18A 70ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISL9R18120S3ST | Hersteller : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 18A 70ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ISL9R18120S3ST | Hersteller : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 18A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 18 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
Produkt ist nicht verfügbar |