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ISL9V3040S3ST-F085C

ISL9V3040S3ST-F085C ON Semiconductor


isl9v3040-f085c-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
IGBT Chip, N-Channel Ignition Automotive AEC-Q101
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Technische Details ISL9V3040S3ST-F085C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST-F085C - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 420 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Dauerkollektorstrom: 21A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EcoSPARK I, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 420V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040-f085c-d.pdf IGBT Chip, N-Channel Ignition Automotive AEC-Q101
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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf IGBTs ECOSPARK1 IGN-IGBT
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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : onsemi isl9v3040-f085c-d.pdf Description: IGBT 400V 21A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 2.1 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 700ns/4.8µs
Test Condition: 14V, 1Ohm
Gate Charge: 17 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : ONSEMI isl9v3040-f085c-d.pdf Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST-F085C - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 420 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK I
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 420V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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ISL9V3040S3ST-F085C ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : ONSEMI isl9v3040-f085c-d.pdf Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST-F085C - IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 420 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 21A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EcoSPARK I
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 420V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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ISL9V3040S3ST-F085C Hersteller : ONSEMI isl9v3040-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
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