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ISL9V3040S3ST

ISL9V3040S3ST onsemi

ISL9V3040P3-D.PDF Hersteller: onsemi
Description: IGBT 430V 21A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Power - Max: 150 W
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Technische Details ISL9V3040S3ST onsemi

Description: IGBT 430V 21A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs, Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V, Gate Charge: 17 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 150 W.

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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040p3-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : onsemi ISL9V3040P3-D.PDF Description: IGBT 430V 21A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
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ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI FAIRS45533-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - ISL9V3040S3ST - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Produktcode: 84352
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ISL9V3040S3ST ISL9V3040S3ST Hersteller : ON Semiconductor isl9v3040d-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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ISL9V3040S3ST Hersteller : ONSEMI ISL9V3040P3-D.PDF Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 430V; 17A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 430V
Collector current: 17A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
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