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ISL9V5036S3ST

ISL9V5036S3ST ON Semiconductor

isl9v5036s3st-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details ISL9V5036S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V, Verlustleistung Pd: 250W, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V, Dauerkollektorstrom: 46A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 46A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ONSEMI ONSM-S-A0013297694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: 250W
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 46A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.06 EUR
500+4.66 EUR
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ON Semiconductor isl9v5036s3st-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.77 EUR
34+4.97 EUR
100+4.33 EUR
250+4.07 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ON Semiconductor isl9v5036s3st-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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34+4.78 EUR
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ONSEMI ISL9V5036.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 31A
Collector-emitter voltage: 390V
auf Bestellung 638 Stücke:
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST onsemi isl9v5036s3st-d.pdf Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 31a 360V IGBT LL avalanche
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST onsemi isl9v5036s3st-d.pdf Description: IGBT 390V 46A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.77 EUR
10+7.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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ISL9V5036S3ST ISL9V5036S3ST ONSEMI ONSM-S-A0013297694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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ISL9V5036S3ST ONSM-S-A0013297694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ISL9V5036S3ST
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.17V
Verlustleistung Pd: 250W
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 360V
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 46A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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34+4.97 EUR
100+4.33 EUR
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Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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31+5.77 EUR
34+4.78 EUR
100+4.11 EUR
250+3.76 EUR
500+3.51 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 390V; 31A; 250W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Application: ignition systems
Gate-emitter voltage: ±10V
Collector current: 31A
Collector-emitter voltage: 390V
auf Bestellung 638 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+5.89 EUR
17+5.09 EUR
19+4.7 EUR
50+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Description: IGBT 390V 46A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 46 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 250 W
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2+10.77 EUR
10+7.19 EUR
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ISL9V5036S3ST
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ISL9V5036S3ST - IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.17V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 46A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 360V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 778 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
21+12.27 EUR
31+7.64 EUR
100+5.06 EUR
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