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ISL9V5045S3ST-F085C

ISL9V5045S3ST-F085C onsemi

isl9v5045s3st-f085c-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
auf Bestellung 92300 Stücke:
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Technische Details ISL9V5045S3ST-F085C onsemi

Description: IGBT 480V 51A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs, Gate Charge: 32 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 51 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V, Power - Max: 300 W.

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ISL9V5045S3ST-F085C ISL9V5045S3ST-F085C Hersteller : onsemi isl9v5045s3st-f085c-d.pdf Description: IGBT 480V 51A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: -/10.8µs
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 51 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 480 V
Power - Max: 300 W
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ISL9V5045S3ST-F085C Hersteller : onsemi ISL9V5045S3ST_F085C_D-3006485.pdf IGBTs IGBT, 450V, 43A, 1.25V, 500mJ, D2PAKEcoSPARK I, N-Channel Ignition 450V 500mJ EcoSPARK 1 Ignition IGBT
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ISL9V5045S3ST-F085C Hersteller : ON Semiconductor isl9v5045s3st-f085c-d.pdf IGBT, 450V, 43A, 1.25V, 500mJ Automotive AEC-Q101
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ISL9V5045S3ST-F085C Hersteller : ON Semiconductor isl9v5045s3st-f085c-d.pdf IGBT, 450V, 43A, 1.25V, 500mJ
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