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ISP25DP06LMXTSA1

ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Technische Details ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISP25DP06LMXTSA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.46 EUR
259+0.89 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
233+1 EUR
323+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISP25DP06LM_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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ISP25DP06LMXTSA1 Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
ISP25DP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.46 EUR
259+0.89 EUR
336+0.64 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP25DP06LMXTSA1 Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
ISP25DP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.5 EUR
233+1 EUR
323+0.67 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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ISP25DP06LMXTSA1
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MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISP25DP06LMXTSA1 Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
ISP25DP06LMXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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