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ISS55EP06LMXTSA1

ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies

infineoniss55ep06lmdsv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4762+0.037 EUR
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Technische Details ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote ISS55EP06LMXTSA1 nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies infineoniss55ep06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.033 EUR
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies infineoniss55ep06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
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3000+0.065 EUR
54000+0.06 EUR
81000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies infineoniss55ep06lmdsv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1200 Stücke:
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789+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon_ISS55EP06LM_DS_v02_00_EN-1578811.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 16276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
13+0.27 EUR
100+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
404+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 ISS55EP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0 Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
4785+0.037 EUR
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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13+0.27 EUR
100+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3654 Stücke:
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44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
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ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 469 Stücke:
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404+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
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ISS55EP06LMXTSA1 Infineon-ISS55EP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0730fdf473a0
ISS55EP06LMXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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