ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 6000+ | 0.068 EUR |
| 9000+ | 0.054 EUR |
| 15000+ | 0.052 EUR |
| 21000+ | 0.05 EUR |
| 30000+ | 0.049 EUR |
| 75000+ | 0.047 EUR |
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Technische Details ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ISS55EP06LMXTSA1 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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ISS55EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V |
auf Bestellung 83993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 16296 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS55EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 180 mA, 4.344 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.344ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.344ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ISS55EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A T/R |
auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |