IST006N04NM6AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
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Technische Details IST006N04NM6AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.
Weitere Produktangebote IST006N04NM6AUMA1 nach Preis ab 2.43 EUR bis 10.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IST006N04NM6AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IST006N04NM6AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 4085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IST006N04NM6AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IST006N04NM6AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.56 EUR |
| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| 2000+ | 2.43 EUR |
| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
auf Bestellung 4030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.73 EUR |
| 10+ | 5.77 EUR |
| 50+ | 4.5 EUR |
| 100+ | 4.08 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 475A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 23+ | 10.9 EUR |
| 35+ | 6.64 EUR |
| 100+ | 4.56 EUR |



