IST006N04NM6AUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IST006N04NM6AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IST006N04NM6AUMA1 nach Preis ab 2.25 EUR bis 4.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IST006N04NM6AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 475A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 20 V |
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IST006N04NM6AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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IST006N04NM6AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IST006N04NM6AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 0.0005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IST006N04NM6AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005405153 |
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