IST006N04NM6AUMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 475A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.88 EUR |
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Technische Details IST006N04NM6AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 475A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.
Weitere Produktangebote IST006N04NM6AUMA1 nach Preis ab 2.43 EUR bis 12.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IST006N04NM6AUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 4085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IST006N04NM6AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 475A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
| 2000+ | 2.43 EUR |
| IST006N04NM6AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: OptiMOS 6
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: INFINEON - IST006N04NM6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 475 A, 500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS 6
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 21+ | 12.09 EUR |
| 40+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 4.88 EUR |