Weitere Produktangebote IST026N10NM5AUMA1 nach Preis ab 2.66 EUR bis 8.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >80 - 100V |
auf Bestellung 1478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 100 V 27A (Ta), 248A (Tc) 3.8W (Ta), 313W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-1 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IST026N10NM5AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |