Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IST026N10NM5AUMA1

IST026N10NM5AUMA1

Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd
Produktcode: 183505
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IST026N10NM5AUMA1 nach Preis ab 3.17 EUR bis 9.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies infineon-ist026n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IST026N10NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.21 EUR
100+3.71 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 INFINEON 3974501.pdf Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
41+5.78 EUR
100+3.8 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.9 EUR
10+6.59 EUR
100+4.7 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.8 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 infineon-ist026n10nm5-datasheet-v02_01-en.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 27A 6-Pin(5+Tab) sTOLL T/R
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 Infineon_IST026N10NM5_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+7.79 EUR
10+5.21 EUR
100+3.71 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 3974501.pdf
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IST026N10NM5AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 248 A, 2600 µohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+9.29 EUR
41+5.78 EUR
100+3.8 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IST026N10NM5AUMA1 Infineon-IST026N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa9204a17ecd
IST026N10NM5AUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 248A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-5-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 50 V
auf Bestellung 1663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.9 EUR
10+6.59 EUR
100+4.7 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH