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ISZ023N06LM6ATMA1 Infineon Technologies


infineon_isz023n06lm6_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
auf Bestellung 3672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.72 EUR
10+2.51 EUR
100+2.12 EUR
500+2.03 EUR
5000+1.96 EUR
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Technische Details ISZ023N06LM6ATMA1 Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ023N06LM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-isz023n06lm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
10+3.93 EUR
50+3.01 EUR
100+2.73 EUR
500+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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ISZ023N06LM6ATMA1 infineon-isz023n06lm6-datasheet-en.pdf
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Description: TRENCH 40<-<100V
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Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 149A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-34
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
auf Bestellung 2625 Stücke:
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