ISZ033N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.18 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details ISZ033N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote ISZ033N03LF2SATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISZ033N03LF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| ISZ033N03LF2SATMA1 |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)