ISZ033N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesMOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.66 EUR |
| 10+ | 1.28 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2500+ | 0.56 EUR |
| 5000+ | 0.52 EUR |
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Technische Details ISZ033N03LF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ISZ033N03LF2SATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 0.0033 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
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