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ISZ0501NLSATMA1 INFINEON


Infineon-ISZ0501NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0ac1554515f
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+2.06 EUR
180+1.29 EUR
237+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Technische Details ISZ0501NLSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 30W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote ISZ0501NLSATMA1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISZ0501NLSATMA1 ISZ0501NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0501NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0ac1554515f Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.06 EUR
180+1.29 EUR
237+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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ISZ0501NLSATMA1 ISZ0501NLSATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ0501NLS-DataSheet-v02_00-EN-1773775.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+2 EUR
100+1.56 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ0501NLSATMA1 Infineon-ISZ0501NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0ac1554515f
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2600 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+2.06 EUR
180+1.29 EUR
237+0.9 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.63 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 4185 Stücke:
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10+2 EUR
100+1.56 EUR
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