Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > ISZ065N03L5SATMA1
ISZ065N03L5SATMA1

ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote ISZ065N03L5SATMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 12905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
30+0.71 EUR
100+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.81 EUR
25+0.8 EUR
100+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+1.18 EUR
261+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON 3154705.pdf Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+1.18 EUR
261+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
ISZ065N03L5SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 12905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
30+0.71 EUR
100+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISZ065N03L5SATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 13045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.01 EUR
10+0.81 EUR
25+0.8 EUR
100+0.6 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 3154705.pdf
ISZ065N03L5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
213+1.18 EUR
261+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 3154705.pdf
ISZ065N03L5SATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
213+1.18 EUR
261+0.89 EUR
324+0.67 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ISZ065N03L5SATMA1 Infineon-ISZ065N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8cb687b0994
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH