ISZ072N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.42 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2500+ | 0.92 EUR |
| 5000+ | 0.88 EUR |
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Technische Details ISZ072N06NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ072N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0072 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 50W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm.
Weitere Produktangebote ISZ072N06NM6ATMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| ISZ072N06NM6ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - ISZ072N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0072 ohm, TSDSON-FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm |
auf Bestellung 4989 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| ISZ072N06NM6ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ072N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0072 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Dauer-Drainstrom Id: 57A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
Description: INFINEON - ISZ072N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 57 A, 0.0072 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
auf Bestellung 4989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 74+ | 3.4 EUR |
| 157+ | 1.49 EUR |
| 176+ | 1.23 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |