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Technische Details ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote ISZ143N13NM6ATMA1 nach Preis ab 1.92 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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ISZ143N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) |
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ISZ143N13NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISZ143N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 54 A, 0.0136 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: TSDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| ISZ143N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
ISZ143N13NM6ATMA1 |
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ISZ143N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |