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Technische Details ISZ24DP10LMATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Weitere Produktangebote ISZ24DP10LMATMA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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ISZ24DP10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
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ISZ24DP10LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
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